中科富海專注電子特種氣體的研發、生産和銷售，是國内特種氣體領域的生廠商和供應商。公司産品線涵蓋高純電子特種氣體、高純稀有氣體、工業氣體等。中科富海擁有專業的核心團隊和成功的運營經驗，能夠供應和國際頭部工廠同等品質的高純電子特氣産品；同時擁有可靠安全穩定的運行經驗，優質的氣體供應鏈資源，可提供專業定制化設計方案及高質量的工程建設方案，爲客戶創造更大價值。

電子特種氣體是特種氣體的一個重要分支，是集成電路、顯示面闆等電子工業生産中不可或缺的原材料。在整個半導體行業的生産過程中從芯片生産到最後器件的封裝幾乎每一個環節都離不開電子特氣，像光刻、刻蝕、離子注入等，而且所用氣體的品種多質量要求高，所以電子特氣被譽爲半導體的“血液”。

刻蝕 

刻蝕是采用化學和物理方法，有選擇地從矽片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在塗膠的矽片上正确地複制掩膜圖形。刻蝕方法分爲濕法化學刻蝕和幹法化學刻蝕。幹法化學刻蝕利用低壓放電産生的等離子體中的離子或遊離基與材料發生化學反應，通過轟擊等物理作用達到刻蝕的目的。其主要的介質是氣體。

矽片刻蝕氣體主要是氟基氣體，包括CF₄、SF₆、C₂F₆、NF₃，以及氯基（Cl₂）和溴基（Br₂、HBr）氣體等。常用的刻蝕氣體如下表：

常見的刻蝕氣體

摻雜 

在半導體器件和集成電路制造中，将某些雜質摻入半導體材料内，使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，以制造電阻、PN 結、埋層等。摻雜工藝所用的氣體稱爲摻雜氣體，主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将摻雜源與運載氣體（如氩氣和氮氣）在源櫃中混合，混合後氣流連續注入擴散爐内并環繞晶片四周，在晶片表面沉積上摻雜劑，進而與矽反應生成摻雜金屬而徙動進入矽。常用摻雜混合氣如下：

 常見的摻雜氣體

外延沉積 

外延沉積是爲了在襯底晶圓上鍍上一層薄膜作爲緩沖層阻止有害雜質進入矽襯底。常用的方法有化學氣相沉積法（CVD）和物理氣相沉積法（PVD），化學氣相沉積法用到大量電子氣體。化學氣相沉積是反應物質在氣态條件下發生化學反應，生成固态物質沉積在加熱的固态基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。

在半導體工業中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相沉積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的矽外延氣體有SiH₂Cl₂、SiHCl₃ 和SiCl₄ 等。外延主要有外延矽澱積、氧化矽膜澱積、氮化矽膜澱積，非晶矽膜澱積等。外延是一種單晶材料澱積并生長在襯底表面上的過程。常用半導體外延混合氣組成如下表：

常見的氣相沉積氣體

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  安徽阜陽中科昊海高純電子氣體項目

  中科富海同昊源集團共同投資建設的高純特種電子氣體項目，首期工程包括一套20Nm³/ｈ氖氦精制裝置、一套400Nm³/ｈ氪氙精制裝置。項目總投資約1億元，占地30畝。氖氦氪氙精制裝置于2021年成功投産。

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  中山三角鎮氣體島項目

  中山三角鎮氣體島項目，其地址位于廣東省中山市三角鎮高平園區。項目共分兩期建設，一期主要包括50萬方/年氦氣分裝和特氣裝置、400TPD液體空分裝置與2000Nm³/h制氫裝置。項目總投資4億元人民币，占地面積63畝。該項目于2022年6月開工建設，2023年成功投産。

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